Produktbeskrivelse
Silisiumkarbid (SiC)-pulver er et keramisk materiale med høy-ytelse kjent for sin eksepsjonelle hardhet, varmeledningsevne og kjemisk motstand. Det er syntetisk produsert gjennomAcheson prosess(karbotermisk reduksjon av silika) eller avanserte metoder for kjemisk dampavsetning (CVD). SiC-pulver er mye brukt i slipemidler, ildfaste materialer, halvledere og avansert keramikk på grunn av dets overlegne mekaniske og termiske egenskaper.
🔹 Kjemisk formel:SiC
🔹 CAS-nr.: 409-21-2
🔹 Utseende:Svart eller grønt krystallinsk pulver
Spesifikasjon
SiC-pulveret vårt med høy-renhet er tilgjengelig i ulike kvaliteter for å møte industri- og forskningskrav:
| Eiendom | Spesifikasjoner |
|---|---|
| Renhet | 99 % min, 99,9 % (høy-renhetsgrad) |
| Partikkelstørrelse | 0,5 µm – 100 µm (tilpassbar) |
| Tetthet | 3,21 g/cm³ |
| Mohs hardhet | 9,5 (Bare etter diamant 💎) |
| Smeltepunkt | ~2700 grader (4892 grader F) |
| Termisk ledningsevne | 120-200 W/m·K |
| Elektrisk resistivitet | 10³ – 10⁶ Ω·cm (halv-ledende) |
Tilgjengelig i-SiC (sekskantet)og-SiC (kubikk)krystallstrukturer.
Nøkkelfunksjoner og fordeler
✅ Ekstrem hardhet (Mohs 9.5 – Near-Diamond Performance)
Overlegen alumina og wolframkarbid: SiCs hardhet (9,5 Mohs) overgår alumina (9,0) og konkurrerer med borkarbid (9,3), noe som gjør den ideell for:
Skjæreverktøy: CNC-bearbeidingsinnsatser for ikke-jernholdige metaller.
Slipemidler: Blåsemedier for etsing av glass/metall (f.eks. 80-korn SiC for presisjonsforberedelse av overflaten).
Bruk belegg: Plasma-sprayet SiC-belegg forlenger levetiden til gruveutstyr.
✅ Høy termisk ledningsevne (120–200 W/m·K – 3x aluminium!)
Mestring av varmespredning: SiC-substrater avkjøler høy-elektronikk 50 % raskere enn aluminiumnitrid (AlN).
Elektronikk: Grunnplater for EV-omformere (f.eks. Teslas SiC MOSFET-er).
LED kjøleribber: Forhindrer lumenforfall i lysdioder med høy-lysstyrke.
✅ Kjemisk inerthet (korrosjons-sikker selv ved 1600 grader)
Syre/alkalibestandighet: Tåler HF, HNO₃ og smeltede salter (nøkkel for kjemiske reaktorforinger).
Oksidasjonsmotstand: Danner et passivt SiO₂-lag i luft opp til 1700 grader (mot grafitt, som oksiderer ved 600 grader).
✅ Lav termisk ekspansjon (4,0×10⁻⁶/ grad – stabilitet under termisk sjokk)
Kritisk for ildfaste materialer: SiC-ovnshyller overlever 1,000+ termiske sykluser uten å sprekke.
Romapplikasjoner: Satellittspeil bruker SiC-kompositter for å unngå forvrengning i bane.
✅ Justerbare elektriske egenskaper (bredt båndgap: 2,3–3,3 eV)
Kraftelektronikk: SiC-dioder reduserer energitapet med 70 % sammenlignet med silisium (f.eks. EV-hurtigladere).
RF-enheter: 5G-basestasjoner utnytter SiCs høyfrekvente-stabilitet.
Søknader
🔸 Slipemidler og polering
Lapping forbindelser: 0,5 µm SiC for etterbehandling av optiske linser (f.eks. Zeiss kameralinser).
Diamantalternativer: Kostnads-effektiv SiC-slurry for wafer-bakgrunnsmaling (halvledere).
🔸 Ildfaste
Stålindustri: SiC-digler (99 % renhet) for smelting av ikke-jernholdige legeringer (Al, Cu).
Støperier: SiC-belagte grafittformer for presisjonsstøping.
🔸 Avansert keramikk og kompositter
Kroppsrustning: SiC-Al₂O₃-kompositter stopper 7,62 mm runder ved halve vekten av stål.
Romteleskoper: SiC-speil (f.eks. James Webbs beryllium-SiC-hybrid).
🔸 Elektronikk
Wafer substrater: 150 mm SiC-skiver for 1200V+ strømenheter (Wolfspeed, Infineon).
Sensorer: SiC MEMS for tøffe miljøer (f.eks. temperaturovervåking av jetmotor).
🔸 Bil og romfart
Bremsesystemer: Porsches PCCB-bremser bruker SiC-forsterket karbonfiber.
Rakettdyser: SpaceXs Raptor-motorforinger tåler 3500 graders eksos.
🔸 Energi
Kjernefysisk fusjon: SiC-SiC-kledning for TRISO brenselsstein (neste-generasjonsreaktorer).
Batterianoder: Nano-SiC øker Li-ion-syklusens levetid med 300 %.
Hvorfor velge oss?
🔹 Kvalitet og konsistens
Batch sporbarhet: Hvert parti testet via XRD (krystallinitet) og laserdiffraksjon (partikkelstørrelse).
ISO 9001 sertifisert: Mindre enn eller lik 0,1 % metalliske urenheter (Fe, Al, Ca).
🔹 Tilpasning
Partikkelmorfologi: Sfærisk (for belegg) vs. kantete (for slipemidler).
Dopete varianter: N-type (nitrogen) eller P-type (aluminium) for halvleder-FoU.
🔹 Kostnadseffektivitet
Masserabatter: 20 % besparelse på 1-tonns bestillinger.
Lokale varehus: Lager i EU/USA/Asia for å redusere fraktkostnadene.
🔹 Logistikk og support
Akkurat-levering i-tid: 48-timers behandlingstid for presserende FoU-prosjekter.
Applikasjonsingeniører: Gratis konsultasjon for SiC komposittdesign (f.eks. optimalisering av sinterbarhet).
🔹 Bærekraft
Resirkulert SiC: Resirkulert fra produksjonsavfall fra solwafer (20 % lavere CO₂-fotavtrykk).
Populære tags: høy-renhet sic pulver, Kina høy-renhet sic pulver produsenter, leverandører, fabrikk
